高電圧逆導通（BiMOSFET™）IGBT

IXYS超高電圧シリーズ2500V - 3600V逆導通（BiMOSFET™）IGBTには、MOSFETとIGBTの両方の強みが組み合わされています。これらの高電圧デバイスは、その飽和電圧とその真性ダイオードの順方向電圧降下の両方の正電圧温度係数が特徴で、並列動作に最適です。「無料」の真性ボディダイオードは保護ダイオードとしての役割も果たすため、デバイスをOFFにする際の誘導負荷電流の代替経路を実現しており、高Ldi/dt過渡電圧がデバイスに損傷を与えてしまうことを防止します。