NTBG028N170M1

onsemi
863-NTBG028N170M1
NTBG028N170M1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

データシート:
ECADモデル:
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¥5,416.5 ¥54,165
¥5,092.6 ¥509,260
完全リール（800の倍数で注文）
¥5,092.6 ¥4,074,080

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
71 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
222 nC
- 55 C
+ 175 C
428 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 13 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 27 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 18 ns
シリーズ: NTBG028N170M1
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 121 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 47 ns
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
韓国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NTBG028N170M1 1700V炭化ケイ素（SIC）MOSFET

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