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AFGHL50T65SQDC

Name: onsemi AFGHL50T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65SQDC
Price: 1943 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-AFGHL50T65SQDC

メーカ番号：

AFGHL50T65SQDC

メーカ：

onsemi

詳細：

IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

データシート:

AFGHL50T65SQDC データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	SiC
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.6 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	100 A
Pd - 電力損失:	268 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	AFGHL50T65SQDC
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値:	100 A
ゲート - エミッタリーク電流:	400 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	IGBTs
トレードネーム:	EliteSiC
単位重量:	7.326 g

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選択した属性: 0

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データシート

AFGHL50T65SQDC データシート

PCN

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

AFGHL50T65SQDCハイブリッドIGBT

onsemi AFGHL50T65SQDCハイブリッドIGBTは、低導通損失とスイッチング損失の両方が備わっている最適な性能を発揮します。AFGHL50T65SQDCは、50Aの電流および650Vのコレクタ・エミッタ電圧が特徴です。このデバイスは、特にトーテム・ポール・リッジレスPFCとインバータをはじめとする、さまざまなアプリケーションで効率性の高い動作に最適です。AFGHL50T65SQDCハイブリッドIGBTは、車載用アプリケーションを対象としたAEC-Q100の認定を受けています。