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NXH400N100L4Q2F2SG

Name: onsemi NXH400N100L4Q2F2SG
Brand: onsemi
SKU: 863-H400N100L4Q2F2SG
Price: 34118 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

863-H400N100L4Q2F2SG

メーカ番号：

NXH400N100L4Q2F2SG

メーカ：

onsemi

詳細：

ディスクリート半導体モジュール ESS 200KW PIM SOLDER PIN

データシート:

NXH400N100L4Q2F2SG データシート

ECADモデル:

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onsemi NXH400N100L4Q2F2SGの詳細を読む

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	ディスクリート半導体モジュール
製品:	IGBT-Diode Modules
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	Q2PACK
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	NXH400N100L4Q2F2
パッケージ化:	Tray
ブランド:	onsemi
構成:	Module
Pd - 電力損失:	980 W
製品タイプ:	Discrete Semiconductor Modules
工場パックの数量:	12
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules

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データシート

NXH400N100L4Q2F2SG データシート

PCN

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: チェコ共和国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NXH400N100L4Q2F2 IGBTモジュール

onsemi NXH400N100L4Q2F2は、分岐 I タイプ中性点3レベル・インバータを含むIGBTモジュールです。onsemi NXH400N100L4Q2F2モジュールは、1チップになったフィールドストップ・トレンチIGBTおよびFRDを活用し、導電損失とスイッチング損失を最小限に抑え、比類のない効率と信頼性を確保します。モジュールは、分岐 I タイプ中性点3レベル・インバータ・デザインが特長で、フィールドストップ技術によって非常に優れた効率を発揮するトレンチを採用しており、最適化された性能を提供します。デバイスは、温度監視用にサーミスタの内蔵に加えて、効率と信頼性をさらに高める低誘導のレイアウトとパッケージ高を有しています。