1200V 3レベルIGBTモジュール

Infineon Technologies 1200V 3レベルIGBTモジュールは、設計柔軟性を制限することなく電気的性能および高い信頼性を発揮します。IGBTモジュールは、わずか数百ワット～数メガワットまでの範囲をカバーしています。1200V IGBTモジュールは、3レベルアプリケーションを対象に設計されています。

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技術
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パッケージ/ケース
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
データシート
236在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies IGBT モジュール 650 V, 400 A 3-level IGBT module
データシート
3在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
データシート
24在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 6
複数： 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
データシート
非在庫リードタイム 18 週間
最低： 1
複数： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 15
複数： 15

IGBT Modules Si