NCP5106/NCP5109高電圧サイドドライバ

onsemi NCP5106/NCP5109高電圧サイドドライバは、2つのNチャンネルパワーMOSFETまたはハーフブリッジ構成で配列されている絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の直接駆動を目的とした2つの出力を提供します。 これらの高電圧、ハイサイドとローサイドドライバは、ナノ秒あたり50ボルト（V/ns）のdV/dt耐性が特徴で、3.3Vおよび5V入力ロジックとの互換性があります。 これらのデバイスはブートストラップ技術を採用しており、ハイサイド電源スイッチの適切な駆動を保証し、頑丈な設計を実現しています。

NCP5106サイドドライバには、最大600Vの電圧範囲が備わっています。NCP5109サイドドライバには、最大200Vの電圧範囲が備わっています。両方のデバイスは、2つのバージョンで提供されています。 それぞれのAバージョンは、独立ロジック入力が特徴で、すべてのトポロジに対処できます。 Bバージョンは、100nxの内部固定デッドタイムによる相互導通保護が特徴です。

SOIC−8、PDIP−8、DFN10パッケージで提供されているNCP5106およびNCP5109高電圧サイドドライバは無鉛で、業界標準デバイスとのピンツーピン互換性があります。
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