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DGD0579UFN-7

Name: Diodes Incorporated DGD0579UFN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DGD0579UFN-7
Price: 194 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

621-DGD0579UFN-7

メーカ番号：

DGD0579UFN-7

メーカ：

Diodes Incorporated

詳細：

ゲートドライバ HV Gate Driver W-DFN3030-10 T&R 3K

データシート:

DGD0579UFN-7 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diodes Incorporated
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Half-Bridge Drivers
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	WDFN-10
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	2.5 A
供給電圧 - 最小:	6.5 V
供給電圧 - 最大:	18 V
上昇時間:	19 ns
下降時間:	15 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
シリーズ:	DGD0579U
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Diodes Incorporated
論理タイプ:	CMOS, TTL
水分感度:	Yes
動作供給電流:	8 mA
Pd - 電力損失:	400 mW
製品タイプ:	Gate Drivers
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs

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データシート

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DGD0579U高圧側および低圧側ゲートドライバ

Diodes Inc. DGD0579U高圧側および低圧側ゲートドライバは、ハーフブリッジ構成でNチャンネルMOSFETを駆動できるブートストラップダイオードを内蔵した高周波ゲートドライバです。浮動高圧側ドライバは、ブートストラップ構成で最高100Vまでに定格されています。DGD0579Uのロジック入力は、スタンダードのTTLおよびCMOSレベル（最低で3.3Vまで）との互換性があり、MCUと簡単にインターフェイス接続できます。高圧側と低圧側のUVLOは、電源が遮断されるとMOSFETを保護します。また、クロス導通防止ロジックは、HOおよびLOが同時にオンになることを防止することでMOSFETも保護します。高速で良好に整合された伝播遅延によってさらなる高スイッチング周波数での動作が可能になるため、さらに小さな関連コンポーネントを使用したより小型でもっとコンパクトなパワースイッチングの設計が実現します。Diodes Inc. DGD0579Uは、スペースを最小限に抑えるためにブートストラップダイオードを内蔵しており、W-DFN3030-10パッケージで販売中で、-40°C～+125°C温度範囲で動作します。