1200V SiC MOSFET

ネクスペリア (Nexperia) 1200V SiC MOSFETは、上面冷却(TSC)対応のQDPAKパッケージを採用しており、高効率、高電力密度、および優れた放熱性能が求められる車載や産業用の電力変換システム向けに設計されています。本デバイスは、SiCのスイッチング性能に上面冷却パッケージ アーキテクチャを組み合わせており、ダイからヒートシンクへの直接的な熱伝導パスを提供します。これにより、プリント基板への熱拡散への依存度が下がり、小型設計へのよりシンプルで効果的な冷却コンセプトの適用が可能です。代表的なアプリケーションには、EV用オンボードチャージャ、DC/DCコンバータ、トラクションおよび補助インバータ、EV充電インフラ、再生可能エネルギーシステム、高出力AC/DCおよびDC/DC電力変換などがあります。

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Nexperia SiC MOSFET NSF040120L3A0/SOT429-2/TO247-3 205在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF080120L3A0/SOT429-2/TO247-3 233在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L 20在庫
最低: 1
複数: 1
: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
150予想2026/10/05
最低: 1
複数: 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 111 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 196 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement