VSMY1850ハイスピードIR発光ダイオード
Vishay Semiconductors VSMY1850ハイスピードIR発光ダイオードには、GaAlAs表面エミッタチップテクノロジーに基づいた850nmのピーク波長が備わっています。これらのダイオードは、高放射強度、高速、高光出力が特徴です。VSMY1850ダイオードは、透明および着色されていない0805プラスチックパッケージで成形されており、表面実装を目的としています。
Vishay Semiconductors VSMY1850ハイスピードIR発光ダイオードには、GaAlAs表面エミッタチップテクノロジーに基づいた850nmのピーク波長が備わっています。これらのダイオードは、高放射強度、高速、高光出力が特徴です。VSMY1850ダイオードは、透明および着色されていない0805プラスチックパッケージで成形されており、表面実装を目的としています。