NXH600B100H4Q2F2S1G

onsemi
863-600B100H4Q2F2S1G
NXH600B100H4Q2F2S1G

メーカ：

詳細：
IGBT モジュール FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

データシート:
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onsemi
製品カテゴリー: IGBT モジュール
Si/SiC Hybrid Modules
Triple
1 kV
1.88 V
173 A
350 nA
422 W
PIM-56
- 40 C
+ 175 C
Tray
ブランド: onsemi
最大ゲート エミッタ電圧: 20 V
取り付け様式: Screw Mount
製品タイプ: IGBT Modules
シリーズ: NXH600B100H4Q2F2S1G
工場パックの数量: 36
サブカテゴリ: IGBTs
技術: SiC, Si
トレードネーム: EliteSiC
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データシート

PCN

コンプライアンスコード
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
チェコ共和国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiCハイブリッドモジュール

Onsemi NXH600B100H4Q2F2S1GSi/SiC ハイブリッドモジュールは、3 チャンネルのフライング キャパシタ ブースト モジュールです。各チャンネルには、2つの1000V、200A IGBT、2つの1200V、60A SiCダイオードが搭載されています。このモジュールには、NTCサーミスタも搭載されています。アプリケーションには、ソーラーインバータと無停電電源システムがあります。

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