SGT3D5R10MEB

STMicroelectronics
511-SGT3D5R10MEB
SGT3D5R10MEB

メーカ：

詳細：
GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
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STMicroelectronics
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
FCLGA-8
N-Channel
1 Channel
100 V
201 A
3.5 mOhms
- 4 V to + 6 V
2.1 V
6.3 nC
- 40 C
+ 150 C
255 W
Enhancement
GaN
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 3.84 ns
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: Transistors
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 6.08 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
タイプ: PowerGaN Transistor
標準電源切断遅延時間: 5.12 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 2.56 ns
単位重量: 78 mg
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SGT3D5R10MEB PowerGaNトランジスタ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics)のSGT3D5R10MEB PowerGaNトランジスタは、極めて低い導通損失、大電流、超高速スイッチング動作を実現する100V、201Aのeモードトランジスタです。高いスイッチング周波数を特長とし、小型の受信部品と簡素化された熱管理によって、コンパクトで高電力密度の設計を実現します。SGT3D5R10MEBトランジスタは、RDS（ON）ドレイン抵抗が標準2.7mΩで、接合部動作温度は-40°C〜+150°Cです。このPowerGaNトランジスタは、DC-DCコンバータ、モータドライバ、太陽光発電システムのMPPTに最適です。

在庫: 336

在庫：
336 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
24 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1   最大： 50
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥669.4 ¥669
¥438.5 ¥4,385
完全リール（3000の倍数で注文）
¥438.5 ¥1,315,500
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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