NVMFWS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D7N04XMT1G
Price: 331 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-VMFWS1D7N04XMT1G

メーカ番号：

NVMFWS1D7N04XMT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

ライフサイクル:

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データシート:

NVMFWS1D7N04XMT1G データシート (PDF)

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	¥331.2	¥331
	¥211.2	¥2,112
	¥146.4	¥14,640
	¥124	¥62,000
	¥103.7	¥103,700
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥95.5	¥143,250
	¥90.4	¥271,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFNW-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	154 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.65 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	29 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	75 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	17 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	77 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	13 ns
シリーズ:	NVMFWS1D7N04XM
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	10 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns

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データシート

NVMFWS1D7N04XMT1G データシート (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS1D7N04XM MOSFET

Onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFETは、シングル、Nチャンネル、STDゲートMOSFETで、SO8FLパッケージに収められています。このデバイスは、40Vのドレイン－ソース間電圧、154Aの連続ドレイン電流が特徴で、AEC-Q101の認定を受けています。onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFETは、低容量およびR_{DS (on)} によってドライバと導通損失を最小限に抑えます。NVMFWS1D7N04XMは、5mm x 6mmの小型フットプリントに格納されており、モータ駆動、バッテリ保護、同期整流に最適です。