RJ1P10BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1P10BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1P10BATTL1
Price: 1081 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

755-RJ1P10BATTL1

メーカ番号：

RJ1P10BATTL1

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Pch -100V -105A, TO-263AB, Power MOSFET : V

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ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
製品タイプ:	MOSFETs
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

RJ1P10BAT PチャネルパワーMOSFET

ローム株式会社のRJ1P10BAT PチャネルパワーMOSFETは、ドレイン-ソース電圧（V_DSS）定格が-100V、連続ドレイン電流（I_D）定格（V_GS= 10V）が±105Aです。ハイパワーTO-263ABパッケージに収容されており、RgとUISの全数試験済みです。ローム株式会社のRJ1P10BATは電力損失(P_D) が201W、静的ドレイン・ソースオン状態抵抗(R_DS(on)) が9.4mΩ（標準値）(V_GS= -10V、I_D= -50A) または10.4mΩ（標準値）(V_GS= -6V、I_D= -50A) です。