NVBG020N120SC1

onsemi
863-NVBG020N120SC1
NVBG020N120SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
onsemi NVBG020N120SC1の詳細を読む

在庫: 234

在庫：
234 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
14 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
234を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（800の倍数で注文）
この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥7,812.8 ¥7,813
¥6,779.2 ¥67,792
¥6,310.4 ¥631,040
¥6,308.8 ¥3,154,400
完全リール（800の倍数で注文）
¥5,540.8 ¥4,432,640
24,800 見積り
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
98 A
28 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
220 nC
- 55 C
+ 175 C
468 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 34 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 20 ns
シリーズ: NVBG020N120SC1
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 42 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 22 ns
単位重量: 4.675 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFETは、 1,200Vおよび1,700Vの定格電圧を備えています。onsemi M1 MOSFET は、信頼性と効率が要求される大電力アプリケーションの要件を満たすように設計されています。M1 EliteSiC MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD、ベアダイをはじめとするさまざまなパッケージオプションでご用意があります。

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

NVBG020N120SC1 NチャンネルシリコンカーバイドMOSFET

onsemi NVBG020N120SC1 N-ChシリコンカーバイドMOSFETには、優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しているテクノロジーが採用されています。NVBG020N120SC1 MOSFETは、さらなる高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減が実現しています。このデバイスの低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。NVBG020N120SC1 N-ChシリコンカーバイドMOSFETは、AEC-Q101に準じた車載用の認定を受けており、車載アプリケーションに最適です。

1200V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET

Onsemi 1,200VEliteSiC (シリコンカーバイド) MOSFET は、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高信頼性を提供します。これらのMOSFETには、低静電容量とゲート電荷が保証される低on抵抗が備わっています。1,200V EliteSiC MOSFETは、高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズの縮小をはじめとするシステムのメリットを実現しています。これらのMOSFETは、阻止電圧、高速スイッチング、低静電容量が特徴で、-55°C ～ +175°Cの温度範囲で動作します。1,200V SiC MOSFETは、AEC-Q101車載認定を受けており、RoHS準拠しています。これらのMOSFETは、ブーストインバータ、充電ステーション、DC/DCインバータ、DC/DCコンバータ、オンボード充電器 (OBC) 、モータ制御、産業用電源、サーバ電源に適しています。

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。