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NSV40301MZ4T3G

Name: onsemi NSV40301MZ4T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSV40301MZ4T3G
Price: 182 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NSV40301MZ4T3G

メーカ番号：

NSV40301MZ4T3G

メーカ：

onsemi

詳細：

バイポーラトランジスタ - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

データシート:

NSV40301MZ4T3G データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-223-4
トランジスタ極性:	NPN
構成:	Single
最大 DC コレクタ電流:	5 A
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	40 V
コレクタ - ベース電圧 VCBO:	40 V
エミッタ - ベース電圧 VEBO:	6 V
Pd - 電力損失:	2 W
利得帯域幅製品 fT:	215 MHz
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
認証:	AEC-Q101
シリーズ:	NSS40301MZ4
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
連続コレクタ電流:	3 A
DC 電流ゲイン hFE 最大値:	500
製品タイプ:	BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量:	4000
サブカテゴリ:	Transistors

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: マレーシア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NSV40301MZ4 バイポーラ電源トランジスタ

Onsemi NSV40301MZ4バイポーラ電源トランジスタは、低飽和電圧と高ゲイン、低 V_{CE (sat)} NPNトランジスタの組み合わせです。このバイポーラトランジスタは、40V_DC のコレクタ‐エミッタ電圧、1A_DC のベース電流、-55°C ~ 150°Cの動作およびストレージ接合部温度範囲が特徴です。NSV40301MZ4 バイポーラ電源トランジスタは、鉛フリー、ハロゲン/BFR フリーで、RoHS に準拠しています。代表的なアプリケーションには、電圧制御、ポータブル機器の電源管理、スイッチング・レギュレータ、モーター制御、DC/DCコンバータがあります。