NTBLS1D5N10MCTXG

onsemi
863-NTBLS1D5N10MCTXG
NTBLS1D5N10MCTXG

メーカ：

詳細：
MOSFET PTNG 100V STD TOLL

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,203.2 ¥1,203
¥908.8 ¥9,088
¥708.8 ¥70,880
¥632 ¥632,000
完全リール（2000の倍数で注文）
¥630.4 ¥1,260,800
4,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
312 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
322 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 90 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 230 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 71 ns
シリーズ: NTBLS1D5N10MC
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 83 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 39 ns
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTBLS1D5N10MCシングルNチャンネルMOSFET

Onsemi NTBLS1D5N10MCシングルNチャンネルMOSFETには、低RDS (on) があり、効率的な電源管理が保証されます。onsemi NTBLS1D5N10MCは、低QG と静電容量が特徴で、充電/放電時間を最小限に抑えることによって性能を向上させます。このMOSFETは、スイッチングノイズと電磁干渉（EMI）を大幅に低減し、よりクリーンな信号環境に貢献します。

エネルギーストレージソリューション

Onsemi のエネルギー貯蔵システム（ESS）は、石炭、原子力、風力、太陽光などのさまざまな電力源から電気を蓄え、バッテリ（電気化学的）、圧縮空気（機械的）、溶融塩（熱エネルギー）など、異なる形態で保存します。このソリューションは、ソーラー・インバータ・システムに接続されたバッテリー蓄電システムに焦点を当てています。

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