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SIS176LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS176LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS176LDN-T1-GE3
Price: 277 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIS176LDN-T1-GE3

メーカ番号：

SIS176LDN-T1-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

データシート:

SIS176LDN-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 27,465

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パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥277.4	¥277
	¥176.1	¥1,761
	¥116.8	¥11,680
	¥91.7	¥45,850
	¥83.7	¥83,700
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥83.5	¥250,500
	¥75.4	¥452,400
	¥72.9	¥656,100
	¥71.6	¥1,718,400

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK 1212-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	70 V
Id - 連続ドレイン電流:	42.3 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	10.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 12 V, 12 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.6 V
Qg - ゲート電荷:	12.6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	39 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
下降時間:	6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	60 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6 ns
シリーズ:	SIS
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	25 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns

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選択した属性: 0

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データシート

SIS176LDN-T1-GE3 データシート

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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