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TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 1398 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

227-TP65H070G4PS

メーカ番号：

TP65H070G4PS

メーカ：

Renesas Electronics

詳細：

GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220

データシート:

TP65H070G4PS データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Renesas Electronics
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	29 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	85 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.7 V
Qg - ゲート電荷:	9 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	96 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SuperGaN
技術:	GaN
ブランド:	Renesas Electronics
下降時間:	7.2 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	GaN FETs
上昇時間:	6.2 ns
シリーズ:	Gen IV SuperGaN
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	56 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	43.4 ns

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データシート

TP65H070G4PS データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas ElectronicsTP65H070G4PS 650V SuperGaN^®窒化ガリウム（GaN）FETは、650V、 70mΩ の優れた品質と性能を提供するノーマリーオフ・デバイスです。TP65H070G4PSは、高電圧 GaN HEMT と低電圧シリコンMOSFETの技術を統合し、3 リードTO-220パッケージに収納したものです。-55°C〜+150°Cの温度範囲内で動作するこのコンポーネントは、26Wの最大電力損失、18.4A〜29Aの最大連続ドレイン電流範囲、120A（最大値）のパルスドレイン電流を特徴としています。Renesas Electronicsの第4世代SuperGaNプラットフォームは、先進のエピ技術および特許取得済みの設計技術を使用し、製造性を簡素化すると同時に、ゲート電荷、出力容量、クロスオーバー損失、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率を向上させます。