FDC642P-F085PBK

Name: onsemi FDC642P-F085PBK
Brand: onsemi
SKU: 863-FDC642P-F085PBK
Price: 78 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-FDC642P-F085PBK

メーカ番号：

FDC642P-F085PBK

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET, -20V, -4A, 100mohm

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FDC642P-F085PBK データシート (PDF)

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	¥39.8	¥3,980
	¥38.1	¥19,050
	¥37.1	¥37,100
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥36.3	¥108,900
	¥34.1	¥204,600
	¥29.9	¥269,100

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SSOT-6
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	65 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	8 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.5 V
Qg - ゲート電荷:	6.9 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.2 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	9.6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	10 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5.5 ns
シリーズ:	FDC642P_F085
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	23.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7.3 ns

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データシート

FDC642P-F085PBK データシート (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET

onsemi FDC642P-F085 小信号 MOSFETは、高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いR_DS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。このMOSFETは、6.9nC（代表値）の低ゲート電荷、-20Vのドレイン・ソース間電圧、±8Vのゲート・ソース間電圧、および1.2Wの電力損失を特徴としています。FDC642P-F085 小信号 MOSFETは、SUPERSOT™-6 パッケージで提供され、標準のSO-8 パッケージよりも72%小さいフットプリントと、厚さ1mmの薄型設計を採用しています。この小信号 MOSFETは、鉛フリー、RoHS準拠、AEC-Q101認定、PPAP対応の製品です。代表的なアプリケーションには、ロードスイッチ、バッテリ保護、電源管理などがあります。