SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFETは、より高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、変調器の部品サイズを縮小します。 SiC C3M MOSFETには、より高いシステム効率があり、冷却要件を削減します。 MOSFETは電力密度、およびシステム切替頻度も増加します。

結果: 4
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
データシート
430在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
データシート
695予想2026/10/12
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
データシート
760予想2026/10/19
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 m, 650V, TO-247-4, Industrial
データシート
300予想2026/10/02
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement