NCV57001FDWR2G

Name: onsemi NCV57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001FDWR2G
Price: 800 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NCV57001FDWR2G

メーカ番号：

NCV57001FDWR2G

メーカ：

onsemi

詳細：

ガルバニック絶縁型ゲートドライバ ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

データシート:

NCV57001FDWR2G データシート

ECADモデル:

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	¥539.8	¥5,398
	¥533.2	¥13,330
	¥438.5	¥43,850
	¥435.2	¥108,800
	¥418.6	¥209,300
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥387	¥387,000
	¥373.7	¥747,400

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:
シリーズ:	NCV57001FDWR2G
取り付け様式:	SMD/SMT
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
上昇時間:	10 ns
下降時間:	15 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Inverting, Non-Inverting
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	4 A
製品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
製品タイプ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
供給電圧 - 最大:	5 V
供給電圧 - 最小:	3.3 V

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データシート

NCV57001FDWR2G データシート

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: アメリカ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

NCV57001F IGBTゲートドライバ

Onsemi NCV57001F IGBTゲートドライバは、大電流シングルチャンネルIGBTドライバで、高システム効率と信頼性を目的に設計された内部ガルバニック絶縁が備わっています。このゲートドライバには、相補入力、障害およびReadyオープンドレイン出力、アクティブ・ミラー・クランプ、正確なUVLO、DESAT保護、DESATのソフトターンオフといった機能があります。Onsemi NCV57001F IGBTゲートドライバは、負の電圧機能をはじめとする広いバイアス電圧範囲をドライバ側での5Vおよび3.3V信号に対応しています。このゲートドライバは、> 5kV_rms ( UL1577定格）ガルバニック絶縁および1200V_iorm (動作電圧）機能を実現しています。代表的なアプリケーションには、車載電源、ハイブリッド/電気自動車(HEV/EV) パワートレイン、BSGインバータ、正の温度係数(PTC) ヒーターがあります。