170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductor 170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers feature a wide range of current ratings from 10A to 80A in the power TO-220AB, TO-263AB, and TO-3PW packages. With low forward voltage drops down to 0.65V typical at 30A, these Vishay General Semiconductor rectifiers are designed for telecom power supplies.

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 製品
取り付け様式
パッケージ/ケース
構成
技術
If - 順電流（Forward Current）
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）
Vf - 順電圧（Forward Voltage）
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）
Ir - 逆電流（Reverse Current）
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Vishay Semiconductors ショットキーダイオードおよび整流器 60A 170V TrenchMOS
データシート
6,794在庫
最低： 1
複数： 1

Schottky Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Dual Anode Common Cathode Si 60 A 170 V 870 mV 210 A 450 uA - 40 C + 175 C Tube
Vishay Semiconductors ショットキーダイオードおよび整流器 60A 170V TrenchMOS
データシート
7,629在庫
最低： 1
複数： 1

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Anode Common Cathode Si 60 A 170 V 870 mV 210 A 450 uA - 40 C + 175 C V60170G Tube
Vishay Semiconductors ショットキーダイオードおよび整流器 10A 170V TrenchMOS
データシート
5,113在庫
最低： 1
複数： 1

Schottky Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Dual Anode Common Cathode Si 10 A 170 V 840 mV 80 A 90 uA - 40 C + 175 C Tube
Vishay Semiconductors ショットキーダイオードおよび整流器 40A 170V TrenchMOS
データシート
635在庫
最低： 1
複数： 1

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 170 V 860 mV 200 A 250 uA - 40 C + 175 C V40170C Tube
Vishay Semiconductors ショットキーダイオードおよび整流器 10A 170V TrenchMOS
データシート
在庫なし
最低： 8,000
複数： 1,000

Schottky Rectifiers Through Hole TO-220-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 170 V 840 mV 80 A 90 uA - 40 C + 175 C Tube
Vishay Semiconductors ショットキーダイオードおよび整流器 40A 170V TrenchMOS
データシート
在庫なし
最低： 8,000
複数： 1,000

Schottky Rectifiers SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Dual Anode Common Cathode Si 40 A 170 V 1.2 V 200 A - 40 C + 175 C Tube