TDS5311P.C

TDS5311P SurgeSwitch™ 1ライン53V EOS保護IC

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1ライン53V EOS保護ICは、標準的なTVSデバイスと比較して、優れた温度特性およびクランプ特性を備えた高エネルギーのEOS保護を提供するように設計されています。このデバイスには、主な保護素子としてサージ定格FETが使用されています。デバイスの過渡電圧は、EOSイベント中に定格破壊電圧を超過します。次に、FETのスイッチをオンにして過渡電流を接地に伝導します。TDS制限電圧は、FETが極めて低いオン抵抗であるため、定格ピークパルス電流範囲全体でほぼ一定になっています。このICは、最大ピークパルス電流でのより低い制限電圧によって、標準のTVSダイオードより昨今の敏感なICの保護に適しています。TDS5311Pは、電圧バスまたはデータラインを保護するように設計されており、最大動作電圧53Vを備えています。本デバイスは最大24A（tp = 8/20μs）の高エネルギー過渡電流に対応する定格を備えており、IEC 61000-4-5（R_S = 42Ω、C_S = 0.5μF）に準じた±1kVの一般的な産業用電圧サージ規格を満たすために使用できます。Semtech TDS5311Pは、小型の2,0mm x 2,0mm、6ピンDFNパッケージに収められており、従来のSMAJおよびSMBJパッケージデバイスに比べてボードスペースを大幅に節約できます。