DI0A35N06PGK

Diotec Semiconductor
637-DI0A35N06PGK
DI0A35N06PGK

メーカ:

詳細:
MOSFET DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C

ライフサイクル:
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ECADモデル:
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Diotec Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Reel
Cut Tape
ブランド: Diotec Semiconductor
製品タイプ: MOSFETs
工場パックの数量: 10000
サブカテゴリ: Transistors
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コンプライアンスコード
JPHTS:
854121000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET is fabricated using advanced trench technology and offers low on-state resistance, fast switching characteristics, and very low gate charge. This makes it suitable for space‑constrained and battery‑powered designs. The DI0A35N06PGK MOSFET features a 60V drain-source voltage (VDSS), 223mW power dissipation, and 350mA continuous drain current (ID). This power MOSFET operates from -55°C to 150°C storage and junction temperature range. The DI0A35N06PGK N-channel power MOSFET is designed for low‑power switching and polarity protection applications. Typical applications include power management units, battery-powered devices, load switches, and polarity protection.

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予想2026/11/11
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¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

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合計 額
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¥14 ¥140
¥12.1 ¥1,210
¥8.8 ¥4,400
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¥4.3 ¥86,000
¥4 ¥200,000