DI0A35N06PGK

Diotec Semiconductor
637-DI0A35N06PGK
DI0A35N06PGK

メーカ：

詳細：
MOSFET DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C

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数量 ユニット価格
合計 額
¥26.6 ¥27
¥19.6 ¥196
¥16.3 ¥1,630
¥13.1 ¥6,550
¥11.5 ¥11,500
¥8.6 ¥21,500
完全リール（10000の倍数で注文）
¥5.6 ¥56,000
¥5.5 ¥110,000
¥4.7 ¥235,000

製品属性 属性値 属性の選択
Diotec Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
Reel
Cut Tape
ブランド: Diotec Semiconductor
製品タイプ: MOSFETs
工場パックの数量: 10000
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

データシート

Models

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854121000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET is fabricated using advanced trench technology and offers low on-state resistance, fast switching characteristics, and very low gate charge. This makes it suitable for space‑constrained and battery‑powered designs. The DI0A35N06PGK MOSFET features a 60V drain-source voltage (VDSS), 223mW power dissipation, and 350mA continuous drain current (ID). This power MOSFET operates from -55°C to 150°C storage and junction temperature range. The DI0A35N06PGK N-channel power MOSFET is designed for low‑power switching and polarity protection applications. Typical applications include power management units, battery-powered devices, load switches, and polarity protection.

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