RQ3L060BGTB1

ROHM Semiconductor
755-RQ3L060BGTB1
RQ3L060BGTB1

メーカ：

詳細：
MOSFET HSMT8 N-CH 60V 15.5A

データシート:
ECADモデル:
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ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
60 V
15.5 A
38 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
5.5 nC
- 55 C
+ 150 C
14 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 4.8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 4 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4.3 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 18.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 7.4 ns
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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コンプライアンスコード
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

RQ3L060BGパワーMOSFET

ROHM Semiconductor RQ3L060BGパワーMOSFETは、60Vドレイン-ソース電圧（VDSS）および±15.5A連続ドレイン電流が特徴です。このNチャンネルMOSFETは、38mΩ低オン抵抗（RDS（オン））および14Wの電力損失が特徴です。RQ3L060BG MOSFETは、-55°C ～ 150°C動作接合部およびストレージ温度範囲内で動作し、ハロゲンフリー、ハイパワー小型モールドパッケージ(HSMT8) でご用意があります。このRoHS準拠デバイスには、無鉛メッキが組み込まれています。代表的なアプリケーションには、スイッチング、モータドライブ、DC/DCコンバータがあります。

在庫: 2,517

在庫：
2,517 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
30 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥269.1 ¥269
¥127.2 ¥1,272
¥113.3 ¥11,330
¥88.9 ¥44,450
完全リール（3000の倍数で注文）
¥70.9 ¥212,700
¥68.8 ¥619,200

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