NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS0D7N04XMT1G
NTMFS0D7N04XMT1G

メーカ：

詳細：
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 188

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工場リードタイム：
27
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥379.2 ¥379
¥244.8 ¥2,448
¥166.4 ¥16,640
¥133.3 ¥66,650
¥117.1 ¥117,100
完全リール（1500の倍数で注文）
¥110.4 ¥165,600

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
323 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
72.1 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 6.32 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 244
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8.12 ns
シリーズ: NTMFS0D7N04XM
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 39.1 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25.8 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench技術

Onsemi  PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への 進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。

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