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NTMFS0D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D7N04XMT1G
Price: 465 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTMFS0D7N04XMT1G

メーカ番号：

NTMFS0D7N04XMT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

データシート:

NTMFS0D7N04XMT1G データシート

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	323 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	700 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.5 V
Qg - ゲート電荷:	72.1 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	134 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	6.32 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	244
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8.12 ns
シリーズ:	NTMFS0D7N04XM
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	39.1 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	25.8 ns

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選択した属性: 0

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データシート

NTMFS0D7N04XMT1G データシート

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 日本

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

PowerTrench技術

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