NXH0xxP120M3F1シリコンカーバイド(SiC) モジュール

onsemi NXH0xxP120M3F1シリコンカーバイド（SiC）モジュールには、ハーフブリッジ・トポロジーに基づく8mΩ/12,00V、10mΩ/12,00V、15mΩ/12,00V、30mΩ/12,00VM3S SiC MOSFETおよびサーミスタがF1パッケージに収められています。これらのモジュールは、熱伝導性材料 (TIM) の事前塗布ありまたは事前塗布なしが特長です。NXH0xxP120M3F1モジュールは、PressFitピンを用いて設計されており、鉛フリー、ハロゲンフリー、RoHSに準拠しています。これらのパワーモジュールは、ソーラーインバータ、産業用電源、電気自動車 (EV)、充電ステーション、無停電電源 (UPS) に使用されます。