TGF297x GaN RF Transistors

Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz and offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at a high drain bias operation. Qorvo TGF297x GaN RF Transistors are ideal for military radar and commercial radar including avionics, marine, and weather.

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 最高動作温度 Pd - 電力損失
Qorvo GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB 305在庫
700取寄中
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W