NTMFS3D0N08XT1G

Name: onsemi NTMFS3D0N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D0N08XT1G
Price: 427 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NTMFS3D0N08XT1G

メーカ番号：

NTMFS3D0N08XT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

データシート:

NTMFS3D0N08XT1G データシート

ECADモデル:

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在庫: 98

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	¥129.8	¥129,800
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥129.8	¥194,700

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SO-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	154 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	28 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	133 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	115 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8 ns
シリーズ:	NTMFS3D0N08X
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	35 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	24 ns

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データシート

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PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS3D0N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET

Onsemi NTMFS3D0N08XシングルNチャンネル・パワーMOSFETは、80VT10標準ゲートMOSFETで、クラウドパワー、5Gテレコム、その他のPSUアプリケーション、およびDC/DCや産業用アプリケーションに最適です。NTMFS3D0N08Xは、より優れた性能を実現しており、システム効率の向上と高電力密度が備わっています。このMOSFETは、高速スイッチングアプリケーションでの全体的な効率の向上、スイッチング損失の改善、リンギング/オーバーシュート/ノイズの低減、アバランシェ耐久性の向上を実現しています。

PowerTrench技術

Onsemi PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。