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NTBL045N065SC1

Name: onsemi NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL045N065SC1
Price: 2199 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTBL045N065SC1

メーカ番号：

NTBL045N065SC1

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V

データシート:

NTBL045N065SC1 データシート

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PSOF-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	73 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	50 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.3 V
Qg - ゲート電荷:	105 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	348 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	EliteSiC
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	16 S
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	14 ns
シリーズ:	NTBL045N065SC1
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	26 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns

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選択した属性: 0

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データシート

NTBL045N065SC1 データシート

PCN

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

ヒートポンプ

ヒートポンプは、安全で持続可能な暖房へのグローバルシフトを実現する礎として、低排出電気を利用して信頼性の高い暖かさを提供します。主な機能は暖房ですが、革新的な逆サイクルモデルには冷却機能も備わっています。さらに、廃熱を効率的に回収してその温度を実用レベルまで上昇させることもできるヒートポンプは、省エネという意味でも非常に大きな可能性を秘めています。企業が低炭素の未来を目指すなか、より効率的なパワー半導体に対する需要も高まりを見せています。このゴールに向けて、コスト、フットプリント、効率のバランスをとることは必須です。オンセミ (onsemi)インテリジェントパワーモジュール (IPM) は、ヒートポンプ市場において注目にすべきソリューションとして、コンパクトな設計、高電力密度、高度な制御機能を備えています。

NTBL045N065SC1 33mohm 炭化ケイ素MOSFET

Onsemi NTBL045N065SC1 33mohm 炭化ケイ素MOSFETは、TOLL NTBL045N065SC1パッケージに収納され、高速かつ堅牢に設計されています。このデバイスは、10倍高い絶縁破壊電界強度、および2倍高い電子飽和速度を備えています。MOSFETは、3倍の高エネルギーバンドギャップ、および3倍の高熱伝導率も備えています。すべての onsemi SiC MOSFET には、自動車、および産業用アプリケーション向けに特別に設計および認定された、AEC-Q101認定、およびPPAP対応オプションが含まれています。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低R_DS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFET

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能とより高い信頼性を実現しています。これらの650V SiC MOSFETは低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズで、低容量とゲート電荷を保証します。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのメリットがあります。