GCMS008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS008C120S1-E1
Price: 7356 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

148-GCMS008C120S1-E1

メーカ番号：

GCMS008C120S1-E1

メーカ：

SemiQ

詳細：

MOSFETモジュール Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

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GCMS008C120S1-E1 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	189 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	12 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	536 W
シリーズ:	GCMS
パッケージ化:	Tube
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
下降時間:	34 ns
高さ:	12.19 mm
If - 順電流（Forward Current）:	176 A
長さ:	38.1 mm
製品:	Power Modules
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	35 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	SiC MOSFET
標準電源切断遅延時間:	91 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	37 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	2.03 V
幅:	25.3 mm

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GEN3 1,200V SiC MOSFET パワーモジュール

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.