SCTH60N120G2-7

Name: STMicroelectronics SCTH60N120G2-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTH60N120G2-7
Price: 2636 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

511-SCTH60N120G2-7

メーカ番号：

SCTH60N120G2-7

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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ライフサイクル:

製造中止:

メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。

データシート:

SCTH60N120G2-7 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	H2PAK-7
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	60 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	52 mOhms
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	94 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	390 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	14 ns
パッケージ化:	Reel
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	15 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	32 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns

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PCN

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ECCN:: EAR99

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