ISC030N12NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC030N12NM6ATMA
ISC030N12NM6ATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET IFX FET >100-150V

データシート:
ECADモデル:
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5,000
予想2026/04/16
工場リードタイム：
52
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥809.6 ¥810
¥528 ¥5,280
¥441.6 ¥44,160
¥430.4 ¥215,200
¥427.2 ¥427,200
¥425.6 ¥1,064,000
完全リール（5000の倍数で注文）
¥331.2 ¥1,656,000

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
194 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
59 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
下降時間: 8.8 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 55 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 7.6 ns
工場パックの数量: 5000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 12 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 12 ns
別の部品番号: ISC030N12NM6 SP005578327
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選択した属性: 0

データシート

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6パワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6パワーMOSFETは、次世代の最先端のイノベーション、およびベストインクラスの性能を備えています。OptiMOS 6ファミリには、性能の大幅なメリットを実現できる薄型ウェハ技術が活用されています。代替製品と比較すると、OptiMOS 6パワーMOSFETは、30%のRDS（ON）を削減しており、同期整流用に最適化されています。

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