S80KS5123GABHI023

Infineon Technologies
727-S5123GABHI023
S80KS5123GABHI023

メーカ:

詳細:
DRAM SPCM

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
FBGA-24
Reel
ブランド: Infineon Technologies
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
USHTS:
8542320002
ECCN:
3A991.b.2
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
タイ
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0メモリ

Infineon Technologies S80KS5122およびS80KS5123 HYPERRAM™ 2.0メモリは、高速、低ピン本数、低電力 セルフ更新ダイナミックRAM(DRAM)であり、スクラッチパッドまたはバッファリング目的で拡張メモリを必要とする高性能組み込みシステムを対象としています。  HYPERRAM製品は、JEDEC JESD251プロファイル に準拠したHYPERBUS™およびオクタルxSPIインターフェイスをサポートしており、パラレルおよびシリアルインターフェイスメモリのレガシー機能を活用すると同時に、システムの性能を強化して設計を容易にし、システムコストを削減します。     ピンの本数が少ないアーキテクチャ(低ピン数アーキテクチャ)によって、HYPERRAMはオフチップ外付けRAMを必要とし電力に制限があり実装スペースが限られているアプリケーションに特に適しています。

在庫状況

在庫:
在庫なし
工場リードタイム:
53 週間 工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 2500   倍数: 2500
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
完全リール(2500の倍数で注文)
¥4,079.4 ¥10,198,500

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メーカ 部品番号:
梱包:
Tray
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