RQ3N025ATTB1

ROHM Semiconductor
755-RQ3N025ATTB1
RQ3N025ATTB1

メーカ：

詳細：
MOSFET Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET

ライフサイクル:
新製品:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥220.9 ¥221
¥138.5 ¥1,385
¥91.4 ¥9,140
¥71.1 ¥35,550
¥64.6 ¥64,600
完全リール（3000の倍数で注文）
¥56.1 ¥168,300
¥52 ¥312,000
¥51.8 ¥466,200

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
HSMT-8
P-Channel
1 Channel
80 V
7 A
240 mOhms
20 V
4 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
14 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 15 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 2.4 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 6.4 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 50 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.6 ns
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

RQxAT PチャンネルMOSFET

ROHM Semiconductor  RQxAT Pチャンネルは、低ON抵抗の表面実装パッケージが特徴で、100% RgとUIS試験が完了しています。これらのPチャンネルMOSFETには、 ±20Vのゲート-ソース電圧が備わっています。RQ3N025ATおよびRQ5L030AT MOSFETは、それぞれ240mΩ および99mΩ の最大ドレイン-ソース間ON抵抗が特徴です。これらのPチャンネルMOSFETは、RoHSに準拠しており、ハロゲンフリーです。RQ3N025ATおよびRQ5L030AT MOSFETには、それぞれ-80Vおよび-60Vのドレイン-ソース間電圧が備わっています。これらのPチャンネルMOSFETは、-55°C〜150°Cの温度範囲内で動作します。代表的なアプリケーションには、スイッチングとモータドライブがあります。

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