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SQS174ELNW-T1_GE3

Name: Vishay SQS174ELNW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS174ELNW-T1_GE3
Price: 315 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SQS174ELNW-T1_GE3

メーカ番号：

SQS174ELNW-T1_GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET

データシート:

SQS174ELNW-T1_GE3 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-1212-8SLW
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	72 V
Id - 連続ドレイン電流:	87 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	46 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	103 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
下降時間:	17 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4 ns
シリーズ:	SQS
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	31 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns

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選択した属性: 0

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データシート

SQS174ELNW-T1_GE3 データシート

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

POWERPAK®1212MOSFET

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適で、約1mΩ のダイオン抵抗が特徴で、最大85Aまで対応可能です。Vishay POWERPAK 1212には、高性能ダイの劣化のリスクを軽減するパッケージング技術を導入しています。このパッケージには、コンパクトな設計での超低熱インピーダンスが備わっており、スペースに制約のあるアプリケーションに最適です。