MMBT3904T RSG

Taiwan Semiconductor
821-MMBT3904TRSG
MMBT3904T RSG

メーカ：

詳細：
バイポーラトランジスタ - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥33.6 ¥34
¥20.2 ¥202
¥12.6 ¥1,260
¥9.3 ¥4,650
¥8.2 ¥8,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥6.6 ¥19,800
¥5.9 ¥35,400
¥4.8 ¥43,200
¥4.6 ¥110,400

製品属性 属性値 属性の選択
Taiwan Semiconductor
製品カテゴリー: バイポーラトランジスタ - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
NPN
Single
200 mA
40 V
60 V
6 V
300 mV
150 mW
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
ブランド: Taiwan Semiconductor
連続コレクタ電流: 200 mA
DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分: 30
DC 電流ゲイン hFE 最大値: 300
製品タイプ: BJTs - Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

データシート

Models

SPICE Models

JPHTS:
854121000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

MMBT3904T NPN Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3904T NPN Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with 60V of collector-to-base voltage (VCBO), 40V of collector-to-emitter voltage (VCEO), and 6V of emitter-to-base voltage (VEBO). The MMBT3904T NPN transistor features a collector current of 200mA and a power dissipation (PD) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.

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