IPTC007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies
726-TC007N06NM5ATMA1
IPTC007N06NM5ATMA1

メーカ：

詳細：
MOSFET IFX FET 60V

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,315.4 ¥1,315
¥925.8 ¥9,258
¥748.2 ¥74,820
¥665 ¥332,500
¥590.1 ¥590,100
完全リール（1800の倍数で注文）
¥590.1 ¥1,062,180

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HDSOP-16
N-Channel
1 Channel
60 V
454 A
750 uOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
209 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 22 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 330 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 18 ns
シリーズ: IPTC007N06
工場パックの数量: 1800
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 76 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 38 ns
別の部品番号: IPTC007N06NM5 SP005753483
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
ドイツ
組立原産国:
マレーシア
拡散国:
オーストリア
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

OptiMOS™ 5 パワーMOSFET

Infineon OptiMOS™ 5パワーMOSFETは、システムコストを削減すると同時に、改善されたシステム効率の要件を満たすように設計されました。これらのデバイスは、代替デバイスよりも低いRDS(on)および性能指数（RDS(on)x Qg）を特徴としています。新しいシリコン技術を使用して設計されており、エネルギー効率と電力密度の要件を満たし、かつ超過するように最適化されています。これらのMOSFETの典型的な用途は、コンピューティング業界でのサーバー、データコム、クライアントアプリケーションなどです。これらは、スイッチモード電源の同期整流 (SMPS) 、およびモーター制御、ソーラーマイクロインバーター、高速スイッチングDC/DCコンバーターアプリケーションでも使用できます。

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