シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスは、シリコン(Si)とカーボン(C)で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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結果: 20
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース 構成 If - 順電流(Forward Current) Vrrm - 繰返し逆電圧(Repetitive Reverse Voltage) Vf - 順電圧(Forward Voltage) Ifsm - 順方向サージ電流(Forward Surge Current) Ir - 逆電流(Reverse Current) 最高動作温度 Vr - 逆電圧(Reverse Voltage) シリーズ 認証 パッケージ化
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 2,620在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 1.2 kV 1.6 V 62 A 300 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 6A 600V 1,599在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C 650 V SCS2x Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 1,792在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 650 V 1.55 V 76 A 200 uA + 175 C 650 V AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 325在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 40 A 650 V 1.55 V 130 A 400 uA + 175 C 650 V AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 10A 600V 607在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C 650 V SCS2x Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen 6,315在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 798在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.6 V 45 A 100 uA + 175 C 1.2 kV AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 440在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 1.2 kV 1.6 V 84 A 200 uA + 175 C 1.2 kV AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen 769在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen 1,674在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY 1,277在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 5 A 1.2 kV 1.6 V 23 A 100 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY 455在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 1.2 kV 1.6 V 42 A 200 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 12A DPAK 474在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C 650 V SCS2x Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY 891在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 1.2 kV 1.6 V 79 A 400 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 20A DPAK
921予想2026/12/22
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C 650 V SCS2x Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 15A D2PAK
278予想2026/11/23
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C 650 V SCS2x Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 8A 600V 非在庫リードタイム 33 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

SMD/SMT TO-263AB-3 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C 650 V SCS2x Reel
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen 非在庫リードタイム 21 週間

Through Hole TO-220ACG-2 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 650V 12A SM SIC SKY 非在庫リードタイム 29 週間

Through Hole TO-220ACG-2 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen 非在庫リードタイム 21 週間

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C 650 V Tube