X2-ClassパワーMOSFET(HiPerFET™搭載)

IXYS X2-ClassパワーMOSFET(HiPerFET™搭載)は、高効率・高速パワースイッチングアプリケーション向けに設計されています。ウルトラジャンクションX2-Class MOSFETは、低ゲート電荷を実現しており、高速固有ダイオードを活用した優れた堅牢性を備えています。これらのMOSFETは、絶縁タイプをはじめとする多数のスタンダードの産業用パッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、スイッチモードおよび共振モード電源、DC/DCコンバータ、PFC回路、ACおよびDCモータードライブ、ロボット工学とサーボ制御があります。

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 シリーズ パッケージ化
IXYS MOSFETモジュール 650V/145A Ultra Junction X2-Class 862在庫
最低: 1
複数: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 17 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 1.04 mW 650V Ultra Junction X2 Tube
IXYS MOSFETモジュール 650V/78A miniBLOC SOT-227 374在庫
最低: 1
複数: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 30 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 595 W 650V Ultra Junction X2 Tube
IXYS MOSFETモジュール 650V/108A Ultra Junction X2-Class 非在庫リードタイム 29 週間
最低: 1
複数: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 108 A 24 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 890 W 650V Ultra Junction X2 Tube