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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Name: Infineon DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DB6U50N16W1RPB11
Price: 6097 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-DB6U50N16W1RPB11

メーカ番号：

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

ダイオード・モジュール 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module

データシート:

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPB11BPSA1の詳細を読む

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	ダイオード・モジュール
RoHS:
取り付け様式:	Screw Mount
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.6 kV
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.61 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
製品:	Schottky Diode Modules - SBD
製品タイプ:	Diode Modules
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
技術:	SiC
別の部品番号:	DDB6U50N16W1RP_B11 SP005613027

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データシート

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: ハンガリー
組立原産国:: 中国
拡散国:: ドイツ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1200V CoolSiC™モジュール

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™モジュールは、シリコン・カーバイド（SiC）MOSFETモジュールで、優れたレベルの効率とシステムの柔軟性が得られます。これらのモジュールには、近閾値回路（NTC）およびPressFITコンタクト技術が採用されています。Coolsicモジュールは、高電流密度、ベスト・イン・クラスのスイッチングと伝導損失が備わっており、低誘導設計になっています。これらのモジュールは、高周波数動作、電力密度の増大、開発サイクル時間とコストの最適化を実現しています。