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NXH004P120M3F2PNG

Name: onsemi NXH004P120M3F2PNG
Brand: onsemi
SKU: 863-XH004P120M3F2PNG
Price: 39367 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-XH004P120M3F2PNG

メーカ番号：

NXH004P120M3F2PNG

メーカ：

onsemi

詳細：

ディスクリート半導体モジュール 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

データシート:

NXH004P120M3F2PNG データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	ディスクリート半導体モジュール
RoHS:
製品:	SiC Modules
タイプ:	Half Bridge
技術:	SiC
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	5.1 V
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22 V
取り付け様式:	Press Fit
パッケージ/ケース:	PIM-36
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	NXH004P120M3F2PNG
パッケージ化:	Tray
ブランド:	onsemi
構成:	Half Bridge
下降時間:	15 ns
Id - 連続ドレイン電流:	338 A
Pd - 電力損失:	1.098 kW
製品タイプ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5.5 mOhms
上昇時間:	15 ns
工場パックの数量:	20
サブカテゴリ:	Discrete Semiconductor Modules
トレードネーム:	EliteSiC
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	127 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	49 ns
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.8 V

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選択した属性: 0

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データシート

NXH004P120M3F2PNG データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

エネルギーストレージソリューション

Onsemi のエネルギー貯蔵システム（ESS）は、石炭、原子力、風力、太陽光などのさまざまな電力源から電気を蓄え、バッテリ（電気化学的）、圧縮空気（機械的）、溶融塩（熱エネルギー）など、異なる形態で保存します。このソリューションは、ソーラー・インバータ・システムに接続されたバッテリー蓄電システムに焦点を当てています。