電気自動車AC充電器

AC充電ステーションは、DC充電器に比べて本来シンプルな構造である一方、配電網から車両にAC電力を安全に供給できます。車両のスペースと重量に制約があるため、オンボード充電器とAC充電ステーションは、一般的に低量の電力（22kW以下）に制限されています。つまり、充電に数時間を要します。また、これらのシステムは、車両のオンボード充電器に依存しており、グリッドからのAC電源をDC電源に変換して車両のバッテリを充電できます。充電器と車両の両方の保護を目的に適切な対策を講じることが重要です。

結果: 39
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
データシート
リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
データシート
1,123在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
データシート
667在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
データシート
4,046在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds
データシート
270在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 62 A 33 mOhms 20 V 5.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
データシート
287在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 250 V 42 A 84 mOhms 20 V 5.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
データシート
1,597在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 10 mOhms 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
データシート
307在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
データシート
308在庫
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
データシート
266在庫
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms 20 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
データシート
283在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms 20 V 5.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
データシート
69在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
データシート
7在庫
300予想2027/02/10
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 60 mOhms 20 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
データシート
148在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms 20 V 5.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
データシート
12在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
データシート
505予想2026/11/02
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
データシート
304取寄中
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
データシート
1,414取寄中
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
データシート
330工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
データシート
30工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms 20 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFET IXTA16N50P TRL
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 800
複数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel
IXYS MOSFET IXTA36N30P TRL
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET IXTA42N25P TRL
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 800
複数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 42 A 84 mOhms 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Reel