SiC Power Modulesパワーモジュール

ROHM Semiconductor SiCパワーモジュールは、SiC MOSFETおよびSiC SBDをシングル段に統合するハーフブリッジSiCモジュールです。これらのROHM SiCモジュールは、スイッチング損失の低減を通して高周波数を実現しています。

ROHMは、市場に出回っているモジュールと比較して、漂遊インダクタンスを削減するためにパワーモジュールを最適化します。過度の発熱を防止するため、Etypeモジュールが追加のサーミスタを内部に統合しています。
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結果: 14
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
シリーズ
パッケージ化
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
データシート
44在庫
最低： 1
複数： 1
: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.7 kV 250 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.8 kW BSMx Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 300A SiC Power Module
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.875 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 1.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール Mod: 1200V 180A (no Diode)
データシート
2在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 567 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.78 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
データシート
1在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 291 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 925 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
データシート
6在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 2.3 V - 40 C + 150 C 935 W BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
データシート
8在庫
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 880 W BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 12
複数： 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 935 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 12
複数： 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 880 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール SIC Pwr Module Half Bridge
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 4
複数： 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 447 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.45 kW Bulk