結果: 11
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
740在庫
2,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
177在庫
2,000取寄中
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
561在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
437在庫
2,000予想2027/06/10
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
5,092在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
299在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
1,621在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
491在庫
3,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
161在庫
1,000取寄中
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
2,000取寄中
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
データシート
2,000予想2027/06/17
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement