CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET

Infineon CoolSiC™ 1700V SICトレンチMOSFETは、フライバックトポロジーに最適化された革新的な炭化ケイ素素材を使用しています。SiCトレンチMOSFETは、12V/0Vのゲート-ソース電圧を提供し、ほとんどのフライバックコントローラと互換性があります。

結果: 3
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
8,232在庫
3,000予想2027/07/29
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 1,000
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
499在庫
25,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
452在庫
2,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC