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電子コンポーネント
半導体
個別半導体
トランジスタ
MOSFET
STF33N60DM2 シリーズ
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STMicroelectronics STF33N60DM2 シリーズ MOSFET
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2
スマートフィルタリング
以下のパラメーターフィルタを複数選択した場合、Smart Filteringが未選択の値をすべて無効にするため、結果が表示されません。
適用されたフィルタ:
半導体
個別半導体
トランジスタ
MOSFET
製造元
=
STMicroelectronics
シリーズ
=
STF33N60DM2
パッケージ/ケース
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
TO-220-3
TO-220FP-3
リセット
24 A
25 A
≤
≥
リセット
110 mOhms
128 mOhms
≤
≥
リセット
- 25 V, 25 V
- 20 V, 20 V
≤
≥
リセット
3 V
3.25 V
≤
≥
リセット
35 nC
43 nC
≤
≥
リセット
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メーカ
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数量
RoHS
ECADモデル
技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
STF33N60DM2
STMicroelectronics
1:
¥878.7
687
在庫
メーカ 部品番号
STF33N60DM2
Mouser 部品番号
511-STF33N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
STMicroelectronics stm dm2 mosfets について
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データシート
687
在庫
1
¥878.7
10
¥456.8
100
¥415.3
500
¥343.8
1,000
表示
1,000
¥342.2
2,000
¥335.5
購入
最低:
1
複数:
1
詳細
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
24 A
110 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MDmesh
Tube
MOSFET N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
STF33N60DM6
STMicroelectronics
1:
¥930.2
非在庫リードタイム 24 週間
メーカ 部品番号
STF33N60DM6
Mouser 部品番号
511-STF33N60DM6
STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
1
¥930.2
10
¥500
100
¥448.5
500
¥373.7
1,000
表示
1,000
¥340.5
2,000
¥328.9
5,000
¥325.6
購入
最低:
1
複数:
1
詳細
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
128 mOhms
- 20 V, 20 V
3.25 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MDmesh
Tube
×
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