SiC MOSFET

SiC MOSFET
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結果: 1,488
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
データシート
368在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
データシート
714在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 150

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
データシート
640在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 300

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
データシート
534在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 300

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
データシート
562在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Microchip Technology SiC MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
データシート
962在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
データシート
898在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 14 A 364 mOhms - 6 V, + 22 V 4 V 36 nC + 175 C 108 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
データシート
350在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
データシート
1,830在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
データシート
1,733在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
データシート
670在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial
データシート
862在庫
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
データシート
227在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO24
データシート
673在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
データシート
513在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
データシート
400在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 10 A 585 mOhms - 6 V, + 22 V 4 V 27 nC + 175 C 85 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 118A N-CH SIC
データシート
827在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC + 175 C 427 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
データシート
199在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
データシート
1,757在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
データシート
1,619在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
データシート
1,718在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
データシート
453在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
データシート
449在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 60MOHM 900V
データシート
1,058在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 225

Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
データシート
1,145在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC