SiC MOSFET

SiC MOSFET
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結果: 1,488
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
データシート
215在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
データシート
390在庫
240予想2026/10/09
最低： 1
複数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 483 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
データシート
464在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
データシート
240在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
データシート
391在庫
1,200取寄中
最低： 1
複数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
データシート
446在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 65.6 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
データシート
338在庫
240取寄中
最低： 1
複数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
データシート
490在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 32 A 104 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
データシート
500在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 124 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
データシート
188在庫
960取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
データシート
168在庫
最低： 1
複数： 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
データシート
210在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 108 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
データシート
546在庫
最低： 1
複数： 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7
データシート
795在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
データシート
747在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
データシート
44在庫
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT D3PAK-3 1 Channel 1.2 kV 64 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
データシート
177在庫
最低： 1
複数： 1

SMD/SMT D3PAK-3 1 Channel 700 V 25 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
データシート
205在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
データシート
1,674在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 111 A 12 mOhms - 10 V, + 22 V 2.7 V 288 nC - 55 C + 175 C 567 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
240在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,019在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
データシート
61在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
データシート
150在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
861在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC