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IPD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R180CM8XTMA
Price: 470 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IPD60R180CM8XTMA

メーカ番号：

IPD60R180CM8XTMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET HIGH POWER_NEW

データシート:

IPD60R180CM8XTMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	18 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	180 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.7 V
Qg - ゲート電荷:	17 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	127 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	12.8 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6 ns
シリーズ:	600V CM8
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	88.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17.2 ns
別の部品番号:	IPD60R180CM8 SP005578057

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選択した属性: 0

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データシート

IPD60R180CM8XTMA1 データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: オーストリア
組立原産国:: 中国
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

CoolMOS™スーパージャンクションMOSFET

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650V CoolMOS™ CFD7A SJパワーMOSFET

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CoolMOS™ 8 SJ MOSFET

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パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。